ZSUS , YSUS замена или ремонт гибридки ?

25-02-2009 22:58

Аппарат кажет очень тёмное "заснеженное" изо , которое с момента включения начинает проявляться пятнами и постепенно в течение 2-3 минут заполняет весь экран и при этом сильно "тормозит" .
Обнаружил заниженоее (50-55 в) VS после предохранителя на ZSUS .
Рванул собственно предохранитель и транзюки в гибридке .
Снимки сделаны при подаче белого поля :
ZSUS был с партномером 6871QZH033A , какие можно вместо него поставить ?
И ещё вопросик - напряжение 15 вольт на выводе 1 разъёма Р3 модуля просажено до 12.8 вольт , это критично , мог из за этого модуль бахнуть ?

25-02-2009 23:23

Цитата:

И ещё вопросик - напряжение 15 вольт на выводе 1 разъёма Р3 модуля просажено до 12.8 вольт , это критично , мог из за этого модуль и бахнуть ?

100% из-за этого и бахнул.
Вроде ничего другого, кроме 033А на шестерку не идет.

26-02-2009 01:05

Замены этой гибридки нет. В качестве эксперимента для себя восстановил вот так: удалил на необходимом участке прозрачный компаунд и сгоревшие кристаллы транзисторов, тщательно облудил поверхность и "посадил" на их места IXTA36N30P. Резисторы в цепях затворов установил 4R7. С виду хоть и "не айс", зато работает уже 2 недели, Нагрев радиатора чуть меньше чем на Y-sus .
Но если +15V занижено или нестабильно, тогда в первую очередь придётся ремонтировать игрек. Иначе ремонт или замена зет не принесёт положительного результата.

26-02-2009 01:12

ИНОПЛАНЕТЯНИН 555, а фото почетче и покрупнее можешь выложить? Ну или на крайняк мне кинуть, просто интересно. улыбка

26-02-2009 01:26

LARTER, К сожалению фотографировал не совсем исправным фотоаппаратом. рёв в три ручья

но заметил это слишком поздно.

26-02-2009 01:26

LARTER, Так чё интересного содраны кристаллы , наих места посажены корпусные ! Тебя просто качественное фото гибридки интересует ?
. Я на своей тоже потом их "содрал" , но модуль целиком я могу приобресть быстрее у себя в Зеленограде , а за мосфетами пришлось бы переться в Москву .
ИНОПЛАНЕТЯНИН 555, Игрек пока абсолютно жив , на дефектовке я его гонял всего минут 5 , - не хотел рисковать , после обнаружения просадки +15 , сразу выключил ( хотя игреку они побарабану - у него своё формируется ).

Добавлено 26-02-2009 01:28

ИНОПЛАНЕТЯНИН 555, Бл@ , ну и пайка ! гы-гы

Без бэксайд подогрева видать , и паяльником ?

26-02-2009 01:35

AndreyZ95, да. В буквальном смысле слова: на кухне 100ваттным паяльником, без особой веры в успех, а ради эксперимента.
Убедившись в том что ЭТО работает, в следующий раз сделаю всё красиво.

26-02-2009 03:31

ИНОПЛАНЕТЯНИН 555, С фирмой ты угадал , а вот с типом транзисторов - нет !
В оригинале используются IGBT фирмы IXIS .

26-02-2009 04:28

При рассчёте ориентировался на это:
[С другой стороны, MOSFET c номинальными напряжениями 200 В и меньше имеют более низкое значение напряжения во включённом состоянии, чем IGBT , и остаются непревзойдёнными в этом отношении в области низких рабочих напряжений и коммутируемых токов до 50 А.

По быстродействию IGBT уступают MOSFET, но значительно превосходят биполярные. Типичные значения времени рассасывания накопленного заряда и спадания тока при выключении IGBT находятся в диапазонах 0,2-0,4 и 0,2-1,5 мкс, соответственно.

Область безопасной работы IGBT позволяет успешно обеспечить его надёжную работу без применения дополнительных цепей формирования траектории переключения при частотах от 10 до 20 кГц для модулей с номинальными токами в несколько сотен ампер. Такими качествами не обладают биполярные транзисторы, соединённые по схеме Дарлингтона.

Так же как и дискретные, MOSFET вытеснили биполярные в ключевых источниках питания с напряжением до 500 В, так и дискретные IGBT делают то же самое в источниках с более высокими напряжениями (до 3500 В).] Взято с http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/publ/igbt/transistor.htm
Транзисторы снял с убитого самсунговского игрека.
AndreyZ95, тебе известны точные параметры IGBT-транзисторов применяемых в этой гибридке?

26-02-2009 04:58

На убитых , удалось рассмотреть только логотип , название фирмы и начало маркировки IXG....
На уцелевших не видно из за мутного силикона .
И коментарий - современные IGBT несильно уступают Мосфетам по скоростям , по напряжению К-Э в открытом состоянии на максимальных токах даже превосходят и имеют при этом меньшую ёмкость затвора .

26-02-2009 07:17

Вот где то на форуме было. Автора не помню.

Z-Board 6871QZH 042A, - 033A или другая
При случае, когда гибридка вышла из строя, обязательно проконтролируйте напряжение в 15 Вольт на разъеме P3. Если оно около 10-11 Вольт, то новый модуль сдохнет через 1-4 недели.

15 Вольт формируется в Y-Board (6871QYH029 или другая). На IC16 собран 15-вольтовый стабилизатор, на его входе стоит емкость C72 (33,0 x 25V). - емкость подсохла.

26-02-2009 14:05

anser, Аккурантно , начинаешь разглашение гос. тайны ! улыбка

Проверить эту напругу решил когда засёк , что она для затворов полевиков используется .

26-02-2009 14:10

AndreyZ95, Дык это давно уже не тайна ! гы-гы

26-02-2009 14:17

andros, Ну не скажи , вообще тем по ZSUS в PDP42V6 единицы .

26-02-2009 14:20

AndreyZ95, Нее , я имею ввиду здесь на форуме . Была как то темка , кацца года 2 ей уже .

26-02-2009 14:26

AndreyZ95, Только вот зет, убитых источником 15 вольт, в шестой панели не единицы.
Обычно - замена зет, но у меня пару раз прокатывала замена транзисторов в гибридке. Ставил SUM45N25 с битых игреков от самца.
Кстати: а где ты там разглядел маркировку, что это ИГБТ?

26-02-2009 14:38

AndreyZ95, ИНОПЛАНЕТЯНИН 555Привешу я эту тему,пускай висит.Много вопросов по восстановлению гибридок задают.

26-02-2009 14:44

SV, На углах кристаллов маркировка на алюминии !
. Кстати у немцев непомню на каком сайте видел "поделку" , там один студент сделал замену гибридки . Но кажется , чем изголяться , проще прям в гибридку запаять новые транзисторы .
. Хотя возможно этот немец готовил законченый проэкт в коммерческих целях .
Практика показала , что работоспособны в ней как Мосфеты так и IGBT .

26-02-2009 14:45

vovan_j, Поддерживаю ! И в личку долбят .. Пора обобщить тему , и ссылок на подобные темы накидать !

Добавлено 26-02-2009 20:49

AndreyZ95, Будь добр , подправь заголовок , чтоб соответствовало ! улыбка

26-02-2009 14:57

andros, Если чесно в теме мной был задан вопрос КАКИМИ ПАРТНОМЕРАМИ можно заменить плату ZSUS !

26-02-2009 15:00

AndreyZ95, Ну вот видишь , партномера развились в тему ремонта гибридок ! улыбка

30-03-2009 08:25

Размещаю в эту тему и свой опыт ремонта гибридок. Аппарат GRUNDIK APPOLO 42”
Панель LG 42V6, аппарату 5 лет.
Симптом:
Темный экран, звук есть.
При вскрытии:
На плате ZSUS перегоревший предохранитель по Vs, в YSUS занижено напряжение 15 V до 12 V, естественно все было отремонтировано и заменено, остальные напряжения в полном порядке. При дальнейшей диагностики было установлено, что неисправен модуль ZSUS, а точнее гибридка.
В моем случае были сгоревшие транзисторы Q8,Q9,Q10,Q11и сопротивления R3,R4,R9,R10. кристаллы транзисторов я соскоблил скальпелем и тщательно зачистил все контактные площадки мелкой шкуркой ,и пролудил. Вместо без корпусных транзисторов Q8,Q9,Q10,Q11 было принято решение установить IGBT IRGS4065PBF, они более всего подходили по параметрам, и корпус у них был подходящего размера. Вместо R3,R4,R9,R10 установил SMD резисторы по 5.1 Ома.
После сборки модуля и включения аппарата:
Экран засветился, но с шумами на изображении (типа плохая антенна), а в верху экрана светлая засветка в виде полосы шириной около 5-ти См.
При повторном вскрытии гибридки был обнаружен дефектный диод d22 (в полупробое), методом проб и ошибок на место d22 и d23 были установлены диоды типа R3000 PBF.
После сборки панель отработала трое суток, все режимы в норме, изображение и звук отличные.Фото прилагаю в архивах в конце.
Желаю всем успеха и положительного опыта.

09-04-2009 12:01

нашол вот такое, буду пробовать тоже восстановить гибридку.
PDP Trench IGBT IR

Транзисторы этого типа оптимизированы для применения в устройствах управления плазменными панелями. В силу особенностей плазменных панелей, представляющих собой с точки зрения управления емкостную нагрузку, ключевые приборы для таких устройств должны быстро включаться, обеспечивать высокие импульсные токи и иметь низкое падение напряжения в открытом состоянии. Они могут быть нормированы на напряжение не выше 300 В. Номенклатура этого семейства IGBT представлена в таблице 5.

Таблица 5. Номенклатура PDP Trench IGBT
Типономинал Корпус Vces, B Vce(on), B typ/max Ic, A 25°C/100°C Pd, Вт 25°C Qg, нК typ Epulse, мкДж Irp, А
IRGP4050 TO-247AC 250 1,64/1,90 104/56 330 230
IRGI4055PBF TO-220 FullPak 300 1,25/1,45 28/14 39 62 975 205
IRGI4065PBF TO-220 FullPak 300 1,10/1,35 36/18 46 62 975 205
IRGB4065PBF TO-220AB 300 1,75/2,10 70/40 178 62 975 205
IRGP4065DPBF TO-247AC 300 1,75/2,10 70/40 160 62 975 205
IRGP4065PBF TO-247AC 300 1,75/2,10 70/40 178 62 975 205
IRGS4065PBF D2-Pak 300 1,75/2,10 70/40 178 62 965 205
IRGB4055PBF TO-220AB 300 1,70/2,10 110/60 255 132 915 270
IRGP4055DPBF TO-247AC 300 1,70/2,10 110/60 255 132 915 270
IRGP4055PBF TO-247AC 300 1,70/2,10 110/60 255 132 915 270
IRGS4055PBF D2-Pak 300 1,70/2,10 110/60 255 132 915 270

Параметр Vce(on) в таблице представлен для максимального тока коллектора. В справочных листах он приведен для различных токов, и величина Vce(on) может быть существенно ниже. Особенностью работы PDP IGBT объясняется появление в таблице и справочных листах специфических параметров Epulse и Irp.

Epulse характеризует энергию импульса тока, суммирующую потери проводимости и потери на включение. В справочных листах приведена ее зависимость от пикового тока коллектора. Умножив ее на количество импульсов в секунду, можно вычислить мощность, рассеиваемую в ключе. Например, у транзистора IRGB4055PBF энергия Epulse равна 380 мкДж при токе 160 А. При частоте 10000 импульсов в секунду потери мощности на транзисторе составят 3,8 Вт. PDP IGBT оптимизированы так, что Epulse у них минимальна (в первую очередь благодаря очень низкому Vce(on)). Другой важной особеностью оптимизированных транзисторов является возможность обеспечивать высокие повторяющиеся пиковые токи коллектора (параметр Irp). Для этого в справочные листы введена зависимость Irp от температуры корпуса. И, наконец, важной особенностью новых транзисторов является их устойчивость к паразитному включению, что обеспечивает низкую вероятность сквозных токов в стойке. Хотя транзисторы этого семейства оптимизированы для применения в плазменных панелях, но благодаря низким потерям проводимости и высоким импульсным токам они могут быть использованы в различных преобразовательных устройствах (источниках питания, электроприводе и т.д.).

09-04-2009 15:18

Самая большая проблема выпаять эту гиборидку с многослойной платы.
Пожалуйста поделитесь опытом- как выпаять гибридный модуль???????? технология?????

09-04-2009 15:24

isodel22, У меня 2 способа , но при наличии оловоотсоса паялки . Устроит ?

09-04-2009 19:40

isodel22, Флюс + паяльник 100W + расплетённый медный провод.

09-04-2009 20:49

когда будешь припаивать транзисторы, на место старых, очень желательно снять радиатор и подогревать гибридку с низу, ну например утюгом, и паяльник помочнее-100W в самый раз.По отпайке у меня проблем небыло , а вот разогреть плату и олово что бы надежно все было (не люблю сопли) пришлось паялкой (400-420градуса) прогревать, а потом стоваттным анструментом орудовать. Но результат того стоил...Удачи Привет !

09-04-2009 22:56

Купил паяльник с отсосом- пробую. Горелкой было безполезно. Сработало правило веника- не сломать когда все вместе выпаивать. Тут нужно с каждой ножкой отдельно работать, жаль иголка не влезает -отверствие плотное и метализированое.

09-04-2009 23:11

ИНОПЛАНЕТЯНИН 555, зачем расплетённый медный провод, у вас разве не продают специальную оплётку для удаления припоя как здесь
http://de.wikipedia.org/wiki/Entl%C3%B6tlitze

isodel22, иногда нужно припой не отсасывать, особенно если плата с металлизированными отверстиями, а наоборот заливать всё пространство между ногами свежим припоем и эту большую блямбу греть хорошим паяльником и тогда транзистор с другой стороны сам вываливается.

10-04-2009 01:37

да поздно..... выпаял уже, часа полтора поигрался. да зря не заливал свежим припоем, старый превращаеться в кашу и потом тяжело высосать его- то есть шлакуеться.
Но сейчас не об этом. В кратце телевизор ERAE model EPT-4230AP. Плата на которой сгорел предохранитель на 4А (model: 42V7 , board:YSUS, part no: 6870QYE011B

Выпаял гибридку YPPD-J014A (2300KCF005A-F)
визуально Q4 и Q1- с прострелом.
тестером Q4,Q1,Q8 - КОРОТКОЕ! выжил только Q5.
драйвер этих полевиков выполнен в виде двух капель и вокруг мелкой дискретой обсыпан.
Смущает что на одной из таких капель выступило -как бы сказать жырное пятно. другая капля матовая без пятна.
Наверное и управление умерло???? менять транзисторы безсмыслено???
Фотку выложу завтра.....
Кто че подскажет СПЕЦЫ? гибридка хоть продаеться или придеться всю плату YSUS покупать?
прошу помощи!!!

10-04-2009 10:07

isodel22, на 42V7 пересадка полевиков не прокатит - вместе с ними там дохнет микросхема-"капля". Зато существует аналог гибридки: STK795-811A .

10-04-2009 10:17

Цитата:

старый превращаеться в кашу и потом тяжело высосать его- то есть шлакуеться

isodel22, это потому что сейчас всё паяется безсвинцовым припоем, борьба за экологию (или за экономию денег), и поэтому при выпаивании нужно обязательно всё пропоять припоем с содержанием свинца, а потом уже его отсасывать оплёткой или отсосом, или же при тонких металлизированных отверстиях как уже писал выше всё заливать до большой блямды.