И
Илья Николаич
- 10 Май 2023
Вишь Славик. довыпендриваешься что им в три дорога у китаёз брать прийдётся.
IGBT тестер
- chignon
Н
Николай967
- 25 Май 2023
chignon, спрошу здесь, так как вопрос про характеристики, вернее соответсвие характеристик даташит.
Производитель написал херню в даташит или это я дурачек что-то не так делаю?
Речь про мосфеты IXYS а именно про ссылка скрыта от публикации
Транзиторы с разборки с али. Внешне оригинал -100%.
Все основные параметры бьют с даташит - кроме скорости выключения.
Корейцы заявляют следующее
Я проверял на индуктивной нагрузке из даташит на SiC компании CREE
Что получилось для сравнения общее время toff+tr емкость затвора справочно
1 ссылка скрыта от публикации - 94 ns. Mosfeet 8300pF
2 ссылка скрыта от публикации - 221 ns. Mosfeet 7520pF
3 ссылка скрыта от публикации . - 310 ns. IGBT 4430pF
Быстрый Sic mosfet Cree
4 ссылка скрыта от публикации . - 35ns. Sicmos 350pF
Почему спросил про даташит - скорость зависит от емкости, а емкость у IXYS сама большая, и поэтому время самое длинное.
Или в Корее физика другая??
Произвоидель серьезный...
Я в ступоре.
Производитель написал херню в даташит или это я дурачек что-то не так делаю?
Речь про мосфеты IXYS а именно про ссылка скрыта от публикации
Транзиторы с разборки с али. Внешне оригинал -100%.
Все основные параметры бьют с даташит - кроме скорости выключения.
Корейцы заявляют следующее
Я проверял на индуктивной нагрузке из даташит на SiC компании CREE
Что получилось для сравнения общее время toff+tr емкость затвора справочно
1 ссылка скрыта от публикации - 94 ns. Mosfeet 8300pF
2 ссылка скрыта от публикации - 221 ns. Mosfeet 7520pF
3 ссылка скрыта от публикации . - 310 ns. IGBT 4430pF
Быстрый Sic mosfet Cree
4 ссылка скрыта от публикации . - 35ns. Sicmos 350pF
Почему спросил про даташит - скорость зависит от емкости, а емкость у IXYS сама большая, и поэтому время самое длинное.
Или в Корее физика другая??
Произвоидель серьезный...
Я в ступоре.
Информация Неисправность Прошивки Схемы Справочники Маркировка Корпуса Сокращения и аббревиатуры Частые вопросы Полезные ссылки
C
chignon
- 25 Май 2023
Мммм... пока не готов сказать, вечером попытаюсь вкурить, полистать даташиты... надеюсь.
Н
Николай967
- 25 Май 2023
chignon, спасибо
Не понятные вещи в очень простых вопроса, где всё вроде бы "руками потрогал" - вызывают дисонас
ПС. У игбт в тесте время выключения по даташит самое большое, но емкость - маленькая и он закрывается быстрее мосфетов.
Вдруг ты не заметил
И ещё акцент -
у иксиса - резестивная нагрузка, я грузил индуктивную - может быть тут собака зарыта? То есть они "спрятали" херовое быстродействие проведя тесты своебразно?
Не понятные вещи в очень простых вопроса, где всё вроде бы "руками потрогал" - вызывают дисонас
ПС. У игбт в тесте время выключения по даташит самое большое, но емкость - маленькая и он закрывается быстрее мосфетов.
Вдруг ты не заметил
И ещё акцент -
у иксиса - резестивная нагрузка, я грузил индуктивную - может быть тут собака зарыта? То есть они "спрятали" херовое быстродействие проведя тесты своебразно?
C
chignon
- 26 Май 2023
Значится так. Первое - прифигел с характеристик IXFH - дичайшая выходная емкость в 5 нФ и микроскопическая обратная 1.6 пФ - ничего не могу сказать, не знаю, выглядит абсурдно, но я не в курсе всех нюансов современных компонентов.
А дальше не совсем понятно.... Голубая кривая - это что вообще? ноль смещен в плюс - оно всё в минус -?
Хотя, что бы ни было, непонятно от слова вообще, напоминает выход из насыщения биполярного транзистора. Случайно не IGBT подсунули с соответствующей входной емкостью? Выходную и обратно-проходную, как понимаю, не измерял?
А дальше не совсем понятно.... Голубая кривая - это что вообще? ноль смещен в плюс - оно всё в минус -?
Хотя, что бы ни было, непонятно от слова вообще, напоминает выход из насыщения биполярного транзистора. Случайно не IGBT подсунули с соответствующей входной емкостью? Выходную и обратно-проходную, как понимаю, не измерял?
C
chignon
- 26 Май 2023
IRGP4266D ведет себя вроде правильно, как быстрый IGBT, а эти два - как тупые IGBT
Н
Николай967
- 26 Май 2023
Емкости не мерял кроме гейт-исток - чуть больше чем даташит, но так всегда показывает на частотах 1-7.8кГц
Желтая затвор, синяя сток-исток. Общий исток, синий с инверсией.
Игбт не подсунули - напряжение открывания низкое как в даташит. Точно мосфеты. Тестер пишет мосфеты.
ПС. Китайцу написал - божится оригинал Ну это не аргумент конечно.
Желтая затвор, синяя сток-исток. Общий исток, синий с инверсией.
Игбт не подсунули - напряжение открывания низкое как в даташит. Точно мосфеты. Тестер пишет мосфеты.
ПС. Китайцу написал - божится оригинал
Ну это не аргумент конечно.
C
chignon
- 26 Май 2023
А откуда смещение в минус взялось? Что-то около 50В, или 45.
Емкости надо мерять, все три. Это еще не показатель, как будет себя вести, но для сравнения с даташитом.
А эти X2-Class HiPerFET - хитрая штука, неспроста такие значения емкостей, надо будет изучить на досуге, потом.
Емкости надо мерять, все три. Это еще не показатель, как будет себя вести, но для сравнения с даташитом.
А эти X2-Class HiPerFET - хитрая штука, неспроста такие значения емкостей, надо будет изучить на досуге, потом.
Н
Николай967
- 26 Май 2023
Думаю в этом проблема...chignon сказал(а):
На пи...ли корейцы про скорость.
Там ещё и мощность пиковая почти киловатт
Надо будет проверить.В таком размере не может быть никак такая емкость+такая мощность+такая скорость -- я так думаю
Добавлено:
Синяя картинка с инверсий - в момент импульса 0В, закрыт 50Вchignon сказал(а):
Н
Николай967
- 26 Май 2023
как померять выходную и обратную емкость? Это DS в обе стороны?
C
chignon
- 26 Май 2023
Выходная измеряется аналогично входной, то есть при замкнутом на исток затворе и подаче на сток обычно 25В, чаще всего, но в ДШ могут быть указаны и иные значения. Напряжение на сток подавать через резистор 1-2МОм или больше, чтобы не влияло на показания, измерять, естественно, через конденсатор, тоже желательно побольше, но вряд ли получится больше 0.1 мкф - долго будет устаканиваться. Я 0.1 использовал, но емкости в ходу поменьше раньше были, до 2н обычно, а тут 7-8... Будет привирать, это надо учитывать.
Для обратной измеряется при тех же условиях по постоянному току, то есть затвор через мегаомный резистор на земле (исток), сток через аналогичный резистор на +25В, по переменному току соединены вместе и на измеритель емкости.
Надо схемку найти, чтобы не на пальцах, но это позже.
Пересчетом из этих 3-х цифр получается обратная емкость. Программка есть, но вот насколько она правильно считает на таких больших емкостях, учтены ли конденсаторы, это сейчас не скажу, надо посмотреть, возможно и нет, не было нужды.
Добавлено:
Да, а почему на тестовых осциллограммах полсотни вольт импульсы - там же при 300-400В измеряется?...
Для обратной измеряется при тех же условиях по постоянному току, то есть затвор через мегаомный резистор на земле (исток), сток через аналогичный резистор на +25В, по переменному току соединены вместе и на измеритель емкости.
Надо схемку найти, чтобы не на пальцах, но это позже.
Пересчетом из этих 3-х цифр получается обратная емкость. Программка есть, но вот насколько она правильно считает на таких больших емкостях, учтены ли конденсаторы, это сейчас не скажу, надо посмотреть, возможно и нет, не было нужды.
Добавлено:
Да, а почему на тестовых осциллограммах полсотни вольт импульсы - там же при 300-400В измеряется?...
Н
Николай967
- 26 Май 2023
Ну задача не стояла измерить абсолютные значения.chignon сказал(а):
Задача стояла сравнить и понять - ixys действительно почти такие же быстрые как sic или нет.
И выходит, что они даже медленнее igbt.
Sic по даташит тоже нужно мерять на 400V, поэтому у меня тоже получилось медленнее на 50В чем в даташите
- чем выше напряжение тем быстрее работает, я проверял
(это и по кривой емкость - напряжение понятно)Но общая ситуация для сравнения понятна - sic в 4 раза быстрее.
При росте Vds с 10-50в скорость изменяется на несколько %, не думаю что при 400в она изменится в 4 раза...
Если ты не согласен - попробую 400В.
Н
Николай967
- 28 Май 2023
Мудрёно написал
При подаче 25В через 1мом и при замыкании затвор-сток - ничего в показаниях принципиально не меняется - несколько процентов.
Нашел простую картинку от тошиба
Поскольку емкости из даташит следствие простых арифмитических действий мы их опустим, а три емкости по схеме для разных ключей получились такие в нанофарадах, округлил до целых значений
Cgs Cgd. Cds
1 IXFH80N65X2 - Mosfeet 11 10 62
2 SPW55N80C3 - Mosfeet 15 18 38
3 IRGP4266D. - IGBT 5 3 3
Быстрые Sic mosfet Cree
4 c3m0120090d. - Sic mosfeet 0.5 0.4 0.7
5 c3m0065090d - Sic mosfeet. 0.8 0.6 1.3
Отсюда видно что емкость Cds у IXYS самая большая, поэтому (наверное) и время закрытия самое большое, больше чем у 55N80
Тогда как время открывания лучше чем у 55N80 и емкости Сgs Cgd это показывают.
Вывод что чудес не бывает подтвердился? Или нужно 400В?
Просто зависимость емкости от напряжения у всех примерно одинаковая - выше напряжение (и частота) меньше емкость, поэтому в тестах скорости IXYS всё равно будет самым медленным... Так?
Измерял всё в статике, без напряжений.
При подаче 25В через 1мом и при замыкании затвор-сток - ничего в показаниях принципиально не меняется - несколько процентов.
Нашел простую картинку от тошиба
Поскольку емкости из даташит следствие простых арифмитических действий мы их опустим, а три емкости по схеме для разных ключей получились такие в нанофарадах, округлил до целых значений
Cgs Cgd. Cds
1 IXFH80N65X2 - Mosfeet 11 10 62
2 SPW55N80C3 - Mosfeet 15 18 38
3 IRGP4266D. - IGBT 5 3 3
Быстрые Sic mosfet Cree
4 c3m0120090d. - Sic mosfeet 0.5 0.4 0.7
5 c3m0065090d - Sic mosfeet. 0.8 0.6 1.3
Отсюда видно что емкость Cds у IXYS самая большая, поэтому (наверное) и время закрытия самое большое, больше чем у 55N80
Тогда как время открывания лучше чем у 55N80 и емкости Сgs Cgd это показывают.
Вывод что чудес не бывает подтвердился? Или нужно 400В?
Просто зависимость емкости от напряжения у всех примерно одинаковая - выше напряжение (и частота) меньше емкость, поэтому в тестах скорости IXYS всё равно будет самым медленным... Так?
Измерял всё в статике, без напряжений.
C
chignon
- 28 Май 2023
Николай967, картинка правильная, а дальше какой-то бред, особенно
Давно когда-то такую приблуду делал, она есть, но уже практически не пользуюсь, и мультиметр с блютузом накрылся давно.
Для транзисторов с большими емкостями не годится, будет привирать, конденсаторы надо по 1мкФ миниму.
Есть другая схема, для отдельной приставки, там чуть иначе коммутация. но оно не сделано пока, может потом как-нибудь.
А вот эти цифры вообще смысла не имеют. У обычных транзисторов выходная емкость резко возрастает при снижении напряжения, а что с этими "финдиперсовыми" происходит - вообще уму непостижимо...
То есть 25 Вольт не подавал? За остальное и не спрашиваю...Николай967 сказал(а):
Давно когда-то такую приблуду делал, она есть, но уже практически не пользуюсь, и мультиметр с блютузом накрылся давно.
Для транзисторов с большими емкостями не годится, будет привирать, конденсаторы надо по 1мкФ миниму.
Есть другая схема, для отдельной приставки, там чуть иначе коммутация. но оно не сделано пока, может потом как-нибудь.
А вот эти цифры
вообще смысла не имеют. У обычных транзисторов выходная емкость резко возрастает при снижении напряжения, а что с этими "финдиперсовыми" происходит - вообще уму непостижимо...
Н
Николай967
- 28 Май 2023
Может кому будет полезно выводы по карбиду.
Мосфеты по скорости просто сказка, аналоговнет
А вот диоды фигня (учитывая их стоимость) - по скорости хуже чем суперфаст и гиперфаст сравнивал с MUR1560 и RHRP3060 купленных на али за копейки. Единственно оправданное применение Sic диодов - высокие напряжения до 1200В
Вот так выглядит картинка в том же тесте что и выше при замене С4D40120 на RHRP3060 (он чуть быстрее чем MUR1560)
Никакого звона и скорость закрытия чуть выше (ключ Sic C3M0120090)
Пробовал до 500кГц (заполнение 1%) тянут.
Добавлено:
25В подавал - разница еле заметная.
Попробую на днях. Спасибо
Вчера косилку чинил, сегодня - электровелик
Мосфеты по скорости просто сказка, аналоговнет
А вот диоды фигня (учитывая их стоимость) - по скорости хуже чем суперфаст и гиперфаст сравнивал с MUR1560 и RHRP3060 купленных на али за копейки. Единственно оправданное применение Sic диодов - высокие напряжения до 1200В
Вот так выглядит картинка в том же тесте что и выше при замене С4D40120 на RHRP3060 (он чуть быстрее чем MUR1560)
Никакого звона и скорость закрытия чуть выше (ключ Sic C3M0120090)
Пробовал до 500кГц (заполнение 1%) тянут.
Добавлено:
Вот теперь понятноchignon сказал(а):То есть 25 Вольт не подавал? За остальное и не спрашиваю...
Давно когда-то такую приблуду делал, она есть, но уже практически не пользуюсь, и мультиметр с блютузом накрылся давно.
Посмотреть вложение 177013
Для транзисторов с большими емкостями не годится, будет привирать, конденсаторы надо по 1мкФ миниму.
Есть другая схема, для отдельной приставки, там чуть иначе коммутация. но оно не сделано пока, может потом как-нибудь.
А вот эти цифры
25В подавал - разница еле заметная.
Попробую на днях. Спасибо
Вчера косилку чинил, сегодня - электровелик