СТРОЧНАЯ РАЗВЕРТКА - ПРОБЛЕМЫ ТРАНЗИСТОРОВ.

23-10-2002 01:41

Предлагаю участникам высказать свое мнение, поделиться опытом. Указать статистику и способы поиска дефектов.

Некачественные транзисторы.
Проблемы с пайками.
Проблемы режимов выходного каскада.
Неисправности драйвера.
Обрывы коллекторных емкостей.
Витковые ТДКС и ОС.
Витковое и проблемы EW.
Неисправности ИИП.

Например:
При диагностике проблем драйвера СР на трансформаторах я ориентируюсь на наличие (без картинки на экране )вертикальной складки по центру экрана, или на пологую форму фронта импульсов, на первичной обмотке.

Сообщение Администрации :

По материалам этого поста допускается обсуждение, в рамках заявленной темы.

10-11-2002 21:14

Опять сгорел выходной транзистор в строчной развертке.
(Из и-нета и личного опыта)
-питание (ХП в БП, заменить все эл. литы в первичке - может прыгать напруга или эл. лит 100мФ/160в во вторичке блока питания).
-конденсаторы на коллекторе тр-ра.
-ХП в блоке СР (пропаяй задающий-буферный трансф, лучше всю СР).
-кондёр по питанию задающего трансф-ра.
-электролит в цепи базы предвыходного каскада строчной.
-частотозадающий конденсатор на строчном генераторе, из-за него строчка поднималась до 45 кгц.
-чтобы в БП и СР не было "лысых" эл. литов (проверить ESR).
-ХП на контактах или подгорели контакты разъёма ОС или замыкание в ОС.
-транз-р ставить лучше то, что было и причём оригинал, а не фуфло.
-может строчный трансформатор постреливает или КЗ в нём?
-прострелы в разряднике фокусировки панели кинескопа.
-диоды, резисторы (обрыв или увеличивают номинал) в СР. Проверить резистор база-эммитер.
-непропаяны выводы кварца 500 кгц (или неисправен), можно попробовать тихонько постучать по кварцу, во время работы.
-проверить что на базе.
-может добавить радиатор, если он сильно греется.

12-11-2002 15:30

Витковые замыкания и обрывы трансформаторов драйвера одна из причин перегрева или выхода из строя выходных транзисторов. В таком случае трансформатор можно перемотать. Обычно при питании драйвера от 120 В, К = 10. При питании 12 - 24 В, К примерно 7. Неправильная Фазировка обмотки наблюдается на экране как сдвиг изображения по горизонтали. Мотать можно на куске феррита, даже без каркаса. Количество витков первичной обмотки зависит от типа применяемого сердечника напряжения питания и схемотехники и находится в пределах 250 - 1000 витков.
Первой на сердечник нужно мотать вторичную обмотку.

23-11-2002 06:34

Rottor не первый раз от тебя слышу о "вертикальной складки по центру экрана". Не ну без п..., ни разу не видел. Что за фигня? Серьёзно. Если ты решишь после этого, что я телеков неисправных не видал, то ты - попугай Флинта. Видал со строкой всякое, а слыхал аж почище твоей складки, если хошь поделюсь во флейме.
Повестку дня одобряю(не знаю почему).
По пунктам:

Некачественные транзисторы.
=============================
На эту тему все ссылаются. А как их распознать? Предлагаю завести список признаков левачины, который бы постоянно пополнялся. Прежде всего внешних признаков. Проверить на доброкачественность в лабе можно, даже не надо чтоб спецом ты был обалденным. Но ведь решение-то принимается при покупке. А вот внешний осмотр отсеет, думаю, более половины, предлагаемой туфты, была бы инфа.

Проблемы с пайками.
=============================
Извечная проблема. В строке не так много контактов. А пайки трескаются прежде всего на толстых ногах деталей. На пропайку толстых ног уходит обычно 1-3 минуты. Тем более, что это следует делать даже если причина не в них.

Проблемы режимов выходного каскада.
====================================
А вот это не понял. Там режим ключевой, и при любом другом ХОТ сдохнет, даже если к нему кулер азотовый приделать.
Другое дело что там иногда сопры в базу вешают, которые могут в номинале увеличиться. Ох нехорошо это. Я обычно меряю Б-Э у ХОТа и если там порядка 1 Ома, успокаиваюсь, пока.

Неисправности драйвера.
=====================
Тут я, извините, кроме дохлых транзисторов и порваных резюков(по питанию) ничего не встречал. Правда бывали треснувшие пайки, но сколько ж можно.
Гнусное место - проходной электролит в базу раскачки. Эта падла может вызывать и разогрев основного и внезапный выход оного в тираж без всяких предисловий.

Обрывы коллекторных емкостей.
===========================
Встречал один раз за 15 лет практики. Нарушение пайки, да, не раз! Но чтоб внутри порвалась, спасибо, экий случай был лишь раз. Да и то там , к счастью в параллель ещё один стоял, так что обошлось без микровзрывов. Это конечно же о верхнем кондёре(если их два). А нижние-то рвутся зачастую, но это другая тема.

Витковые ТДКС и ОС
==================
Об этом к Роттору.
Одно скажу, дохлую ОС не видал. А ТДКС проверял явным выжиганием или заменой на любой близкий. Чтоб ХОТ подох от КЗ в ТДКС не верю. От ОСы, верю, может быть, но теоретически(см. чуть выше).

Неисправности ИИП.
====================
Ну-у тут как повезёт. У меня как-то Айва 1402 вразнос ударилась. При номинальном выходе 117В давала такого жару, что лампочка на 220В сгорала. Повесил две посл-но - горели ярко. Напруга на них оказалась за 300В. Ёмкостя вспучились и на выходе питания и во вторичках ТДКСа в том числе и видеоусилительная(эта вообще петардой закинулась). ХОТ сдох только на третье включение(включения длились по 3сек примерно). Памятник ему. До сих пор жалею что не запомнил его имя.

Макс

23-11-2002 11:33

max2002
Последний раз я столкнулся с этой проблемой когда кто то из механиков установил трансформатор драйвера с питанием от напряжения 24 V, вместо положенного 120 V. "К" трансформации вместо 7 стал 10, поэтому напряжения на раскачку было недостаточно.
Складка на растре (полоса вертикально по центру) появляется при заниженом по амплитуде или искаженом импульсе драйвера. Складкой я ее называю по инерции такие проблемы наблюдались и в ламповых телевизорах при слабом сигнале задающего. Причины я указывал, низкая мощность или неисправности, (витковое, например трансформатора). В основном наблюдается в недорогих моделях с слабым выходним строчным каскадом. Может возникать и при заниженом питании строчной, например проблемы с емкостями блока питания.
Иногда ЭТО заметно на растре (без сигнала) при отсутствии синхронизации.
На дорогих моделях встречал то же, при витковом драйвера. это первый звонок будущих проблем и перегрева выходного транзистора. В ремонт попадают уже выгоревшие и без складки.
Убедится достаточно просто: создай искуственно витковое или подключи в разрыв базы резистор 3 - 8 Ом. и наблюдай на здоровье.

24-12-2002 13:18

В архив темы:

На время обратного хода транзистор выходного каскада СР должен запиратся (обратное смещение). Это повышает скорость его переключения и увеличивает напряжение пробоя К/Э.
В классических драйверах это делается с использованием трансформатора.
Когда используются транзисторные драйвера то применяют источники отрицательного напряжения или дополнительно устанавливают емкость шунтируемую диодом, (резистором) в базовой цепи НОТ. В таком случае отрицательные импульсы получают за счет перезаряда электролита. Если причина перегрева НОТ по входу, то это связано с амплитудой импульсов и качеством трансформатора. В других случаях с проблемами отрицательного напряжения и увеличением ESR оксидных емкостей в базовой цепи НОТ.

24-12-2002 14:40

коротко,в качестве реплики:
причина перегрева ключевого строчного транзистора - неоптимальный базовый ток,признак выхода из строя по этой причине - ненулевое сопротивление пробитых переходов(при выходе из строя ключа по причине перенапряжения на К-Э(холодные пайки и пресловутый конденсатор с К в сторону земли,верхний диод модулятора)выводы звонятся по нулям
контроль опт. базового тока легче всего осуществляется по форме ИОХ (левый загиб не должен быть затянут)
форма напряжения в базе транзистора неинформативна, контролировать форму тока можно при помощи трансформаторного датчика - 1виток провода(проволки) на любом трансформаторе с ферритовым сердечником
контролировать ТПИ можно по фронту импульса на нижнем выводе его первичной обмотки - в исправном-фронт должен быть строго вертикален.если наблюдаются завалы(загибы вправо)-в ТПИ есть КЗ-витки,резонансным способом неопределяемые
быстрый способ подбора опт. базового тока - запитывание первички ТПИ от внешнего регулируемого источника
про С с высоким ЭПС все уже знают,если нет измерителя,проверить можно по амплитуде пульсаций на верхнем выводе первичной обмотки ТПИ
по"левым" транзисторам - линейность(зависимость бетты от тока коллектора) или бетта при большом токе коллектора у них мала.как протестировать при покупке - только внешним осмотром,других способов не знаю улыбка

08-02-2003 09:19

Назову часто встречающиеся дефекты из моей практики ремонта мониторов.
1- завышеное напряжение В+
2-непропай в цепи НОТ
3- увеличение ЕСР конденсатора на выходе В+ (проявляется дефект при переключении режимов)
4-недостаточная раскачка НОТ
5-у старых мониторов просто слабнет крепление НОТ
7-после замены НОТ если есть базовая проходная емкость надо менять обязательно (при пробое НОТ через нее течет большой ток , как следствие увеличивается ЕСР)
8-обрыв или уменьшение емкости в цепи К-Э НОТ (следствие этого завышенное напряжение на коллекторе НОТ что приводит к пробою по напряжению.)
9-течет демфирный диод (следствие-разогрев НОТ обратным током)

06-04-2003 13:25

НОТ так же грется по причине неисправностей в EW (корректор геометрических искажений). Например при витковом замыкании дросселя EW, или утечек и нарушений режимов транзистора модулятора.

17-05-2003 17:53

Присоединяюсь к вышеизложенным вариантам непериодического пробоя НОТ,а так же добавлю:
--Перепрошить, лучше - заменить память (SONY), где размер по горизонтали рулится в сервис-режиме.
--Пропаять земляной конец регулятора FBT (SONY)
--Панель кинескопа - утечка по фокусу (Daewoo)
--Кинескоп - газует, иногда слышно потрескивание. Этот приговор в последнюю очередь, когда другие варианты отпали.

Если новый кинескоп постреливает иногда, и уже съел НОТ. То лучше скинуть высокое чуть-чуть, уменьшив питание строчки или добавить в коллектор НОТ кондер на 1-2 Нанофарады. И добавить сторож напряжения по питанию НОТ,чтобы в следующий подход исключить вариант перенапряжения из-за блока питания. Ведь неисправность может проявляться и через 1-2 часа, а может и 1-2 раза в месяц, а чинить надо, как повтор, за бесплатно.

08-08-2003 06:18

Вертикальную складку встречал 2 раза:1случай-заменил транзистор перед ТМС,2 случай -SHARP шасси 5bsa поменял 2 транзистора Q602,Q604 стоят перед HOTом,в обоих случаях HOTы грелись

30-05-2005 11:21

Вертикальную складку встречал несколько раз - во всех случаях был виноват транзистор в предкаскаде

03-06-2005 10:05

Изначально следует отметить , что НОТ работает в режиме насыщенного ключа. Т.е. имеет два состояния в идеале --- полностью открыт и полностью закрыт. Насыщением называют состояние транзистора когда сопротивление коллектор-эммитер(К-Э ) минимальное. При этом падение напряжения на участке К-Э незначительно , а следовательно и рассеиваимая мощность минимальна. Отсюда напрашивается вывод , что при выходе транзистора из насыщения его рабочая температура будет расти

К поражающим НОТ факторам можно отнести температуру ( при чём не обязательно будет успевать нагреваться корпус. Динамика разогрева кристалла может быть настолько высока , что последний сплавится не успев разогреть корпус. Всё равно это явление относится к тепловому пробою) и само-собой пробивающий ток и предельное напряжение.

Предельные лимит-параметры указаны в заводских спецификациях на НОТ (data sheet). Но следует заметить что одновременно допускается действие не более одного лимит-параметра, и при этом лимиты на остальные параметры резко занижаются. Это хорошо видно на графических диаграммах прилагаемых к заводским data sheet. Так что не следует обманываться указанными параметрами на первой странице ( это как правило для определённых условий и служат не расчётными данными а больше ориентиром при выборе «кандидата») , а полистать малопонятные на первый взгляд графики.

При анализе дефектов в строчной развёртке выяснилось ,что всё-таки основным поражающим фактором НОТ является тепловой пробой . Т.к. почти никогда токи не достигают лимитов , а напряжением НОТ пробивается намного реже , и то по причине или БП или пробоя ТДКС., что установливается довольно быстро ( так же при обрывах конденсатора обратного хода из-за чего повышается размах ИОХ до пробойных величин)

Первая и основная причина уже названа --- выход из насыщенного режима. Ток коллектора в насыщенном режиме обеспечивается током базы в пропорции соответствующей коэффициенту передачи тразистора по току ( he) Т.е. ток коллектора может быть не более чем ток базы умноженный на число he. Этот параметр так же есть в data sheet. И им так же следует руководствоваться и не гнаться за лимит-параметрами. Следует отметить зависимость --- чем больше предельный ток у НОТ тем меньше такой параметр как he.

Т.е. такой транзистор можно насытить увеличив ток базы. Это надо помнить , тем кто норовит для «пущей надёжности» установить НОТ помощнее. Если ток базы при этом не корректируется , то как правило это приводит к излишнему нагреву по причине ненасыщения.

Даже когда происходит авария в развёртке ( замыкание обмоток ТДКС) , токи не достигают предельных величин даже если выросли в несколько раз. А НОТ греется по причине выхода из насыщенного режима ( ток базы остался прежним, при том что ток коллектора вырос). Если увеличивать ток базы пропорционально току коллектора , то даже при аварии температура не достигнет пробойных величин.

И наоборот в совершенно исправной развёртке при уменьшении тока базы будет наблюдаться перегрев и как правило выход из строя НОТ.

Из вышесказанного следует что принципиально важным является факт поддержания НОТ в режиме насыщения. И этот вопрос можно разбить на две группы причин выхода из насыщения--- неисправности в цепях управления , влияющие на базовый ток , и неисправности в выходных цепях развёртки , влияющие на увеличение коллекторного тока.

.

«Хвост» у таких неисправностей может тянуться довольно далеко. Например в тех.бюллетене на шасси Шнейдера TV17.x завод одной из причин называет кварцевый резонатор на 20МГц стоящий в 100Гц секции. Т.е. «шорохи» на уровне тактового генератора могут быть причиной выхода транзистора из насыщенного режима.

Поэтому для начала рассмотрим цепи включённые непосредственно в базу НОТ и предоконечные каскады.

Первое на что следует обращать внимание --- реактивные элементы ( индуктивности и ёмкости)

Например ,если в цепи базы присутствует переходной электролитический конденсатор , то увеличение его ESR приводит к уменьшению тока. Следует так же обратить внимание на электролит в базе предоконечного каскада. Переходные конденсаторы работают по принципу циклического тока заряд-разряд. Поэтому при проверке «электролитов» следует проверить цепи заряд-разряда ( ведь если ёмкость не разрядиться или разрядится недостаточно , то следующий цикл заряда будет неполноценным).

Яркий пример , шасси ICC5 от Томсона содержит предвыходной каскад с переходным конденсатором ( рис1.)
Дефект --- потеря проводимости диода включенного обратно эммитерному переходу. Следствие --- «дикий» перегрев НОТ. При этом строчная даже и работала.

Неисправности линейного согласующего трансформатора ТМС , такие как межвитковое замыкание плохой контакт выводов , так же будет приводить к недостатку базового тока НОТ. К этому же приводит недостаточное питание предвыходного каскада связанное с увеличением сопротивлений в цепи питания, увеличением ESR питающих конденсаторов.

Неисправности демпферных цепей ТМС , приводит либо к ответвлению тока от формирования базового для НОТ , либо при обрыве, возникновению затухающих колебаний. И то и другое выносит однозначный приговор НОТ. Например, в тех.бюллетене на шасси Шнейдера DTV100 указывается на обрыв конденсатора в демпфере ТМС как причина пробоя НОТ.( рис2)

Здесь особых объяснений не требуется. Растёт ток коллектора при перегрузке в результате аварии пробой-замыкание. Лишь один момент вызывает вопрос . Почему греется НОТ при обрыве цепей отклонения ?
По идее обрыв ведёт к уменьшению тока ? Ведёт ! Но как раз не в этом случае, точнее не всегда.
Как извесно ОС совместно с ТДКС и конденсатором обратного хода образуют контур. Следовательно исключение из этого контура ОС ( т.е. обрыв цепей отклонения) приведёт к увеличению индуктивности а значит и длительности ИОХ.

Причём настолько что эта длительность захватит такт работы НОТ. В результате чего НОТ погасит часть энергии накопленной в ТДКС. И само-собой средне-действующий коллекторный ток увеличится

1.Следует провести тщательный осмотр всей развёртки. Очень часто причина очевидна ---- вспученные ёмкости , обугленные места плохого контакта , „кольцевые” трещины в пайках

2.Замерять выходные напряжения БП и сравнить их на предмет соответствия напряжениям согласно ТУ.

3.Замерять сопротивление пробоя НОТ. С большой долей вероятности можно утверждать , что если пробой нулевой ( сопротивление от десятых долей до едениц ОМ), то неисправность лежит скорее всего в силовых цепях развёртки. А если сопротивление ненулевое , то пробой связан с цепями управления сигналом базы НОТ.

4.Проверить на предмет ESR электролитические конденсаторы участвующие в запуске строчной развёртки. ( о способах измерения ESR здесь )

5. Проверить ( по возможности при наличии приборов) исправность ТДКС , ОС и других дросселей участвующих в работе строчной развёртки ( о способах проверки здесь )

Указанный порядок гарантирует уже на нанчальном этапе в большинстве случаев правильно провести диагностику и ремонт.

Практически встречающиеся причины более разнообразны. И в каждом конкретном случае непопадающем в перечисленные пункты следует провести более глубокий анализ дефекта. ,учитывая периодичность дефекта , среднюю температуру окружающей среды , влажность воздуха при эксплуатации.... и т.д.). А так же возможную взаимосвязь данного дефекта с возможными периодическими неисправностями в других узлах телевизора ( ИБП , драйвер развёртки , цепи коммутации сигнала запуска развёртки ... и т.д.)

[img][/img]

19-06-2005 21:06

Два одинаковых по наименованию тразистора.
Левый - без демпферного диода и резистора, на металлической подложке - некондиция.
Правый - с диодом, и резистором в пластиковом корпусе.
Параметры правого, в пластике соответствуют справочнику.
Фирма та же, маркировка та же, транзисторы разные.
Так, что все нужно проверять.

25-06-2005 12:24

В процессе ремонта TV9 обнаружил слева, на расстоянии 3 см от края растра помеху, в виде тонкой вертикальной полосы, отчетливо видимую при минимальной контрастности, и слегка увеличенной яркости.
- Неисправность вызвана дефектной емкостью демпферного конденсатора в первичной цепи ТМС. На коллекторе транзистора драйвера возникали затухающие колебания, что вызвало появление помехи и перегрев транзистора.
Замена емкости устранила помеху, режим транзистора восстановился.

12-02-2006 00:10

В схемах СР и ИИП применяют транзисторы, имеющие максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер Iкэ mах = = 800—1500 В и ток коллектора IКмах = 2—16 А. Они, как правило, имеют n+—р—n—n+-структуру с толстым (100—150 мкм) высокоомным n-слоем коллектора, имеющим удельное сопротивление 50—70 Ом-см, за счет которого обеспечивается высокое пробивное напряжение коллекторного перехода. На вольт-амперных характеристиках таких транзисторов в области насыщения имеется два участка. Крутой участок соответствует глубокому насыщению транзистора, когда прямосмещенным оказывается не только эмиттерный, но и коллекторный р—n переход. При этом происходит интенсивная инжекция дырок из области базы в высокоомную n-область коллектора и ее сопротивление снижается от 40—50 до 0,2—0,5 Ом. На другом участке ( с бОльшими значениями действующих напряжений и токов) прямо смещен лишь эмиттерный переход и сопротивление n-области высокое.
При отпирании транзистора статическое значение напряжения насыщения коллектор—эмиттер Uкэн устанавливается с задержкой, требующейся для того, чтобы инжектированные из области базы дырки заполнили высокоомную область коллектора. Эта задержка может достигать у некоторых транзисторов 10—12 мкс, а максимальное начальное значение Uкэ н достигает 10—15 В.
Процесс запирания транзистора складывается из двух фаз.
В первой фазе происходит рассасывание избыточных зарядов из областей базы и коллектора. Напряжение коллектор — эмиттер при этом остается малым, а ток коллектора при индуктивной нагрузке продолжает нарастать. Продолжительность фазы достигает 10 мкс. Во второй фазе ток спадает, а напряжение коллектора нарастает.
Существует оптимальная скорость спада тока базы, при которой коммутационные потери в транзисторе минимальны. Существуют 3 характерных случая, соответствующие разным скоростям изменения тока базы при выключении. Если ток базы изменяется быстро, так что эмиттерный переход запирается раньше коллекторного, то дырки, накопленные в коллекторной n-области, оказываются «закрытыми» в ней и медленно рассасываются на конечной стадии спада коллекторного тока. При этом коммутационные потери велики, поскольку конечной стадии спада тока коллектора соответствует значительное коллекторное напряжение. Другой крайний случай - когда ток базы изменяется слишком медленно. Коммутационные потери здесь также велики.
Если нарисовать графики спада и нарастания тока и напряжения, то показателем потерь будет являться высота точки пересечения графиков тока и напряжения.
При оптимальной скорости спада тока базы несколько увеличивается продолжительность первой фазы выключения транзистора—рассасывания, но зато спад тока коллектора происходит быстро. На практике оптимальной скорости спада тока базы часто добиваются путем установки в цепь базы небольшой дополнительной индуктивности Lб = 3—10 мкГн.
(Митрофанов, " Импульсные источники вторичного электропитания". 1985)
.........................................................
ВЫВОДЫ
Именно этим можно обьяснить:
- наличие дросселей в базовой цепи строчного ключа в телевизорах PHILIPS и некоторых других.
- выход из строя ключевых транзисторов при дефектах этих дросселей , "базовых" резисторов,конденсаторов, а также неправильном режиме транзистора при установке аналога.
.................
Поскольку при работе транзистора в ключевом режиме при анализе и расчете параметров схемы используется понятие "коэффициент насыщения" Кн=Iк / (Ib*?),то, для достижения определенного коэффициента насыщения при вариациях ? в транзисторах-аналогах необходимо подгонять ток базы к оптимальному. Единой рекомендации тут нет.
Описана только суть процесса.
................
Не следует забывать, что разные типы транзисторов обладают различными частотными свойствами. Это тоже принципиально влияет на величину коммутационных потерь при одинаковом Кн для различных типов транзисторов.