| Автор | Сообщение |
|---|
ZORRO Забанен  Сообщения: 3328
|
Есть в наличии активный концертный саб 400Вт, трёхэтажное питание, 30,60, и 90 вольт. ИБП собран на полумосте, ни IGBT G4PC30UD, оба в коротком. Заказывать долго, саб нужен быстро. Возможно ли заменить на какие нибудт мощные мосфеты от иксов и игреков от плазм?
Добавлено 14-07-2011 15:48
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=G4PC30UD
|
|
EvgeniS Участник
Сообщения: 2953
|
ZORRO, ИГБТ тоже как грязи разных. Не проблема заменить одни на другие. На МОСФЕТ можно поменять, но могуть быть тонкости. Охота возиться?
|
|
ZORRO Забанен Сообщения: 3328
|
у меня нету в разборке, а до магазина 90 км...
|
|
EvgeniS Участник
Сообщения: 2953
|
ну тогда меняй. поставь параллельно быстрые диоды. В ИГБТ встроены ультра-фаст диоды а в мосфетах диод паразитный и медленный. Надо его шунтировать (при хороших мощностях).
|
|
ZORRO Забанен Сообщения: 3328
|
щас в платах от плазмы покопаюсь... 
|
|
Vlad-1966 Предупреждений: 1  Сообщения: 12091
|
|
pantelei4 албанец
Сообщения: 572
|
|
ZORRO Забанен Сообщения: 3328
|
Vlad-1966, X какой то есть, завтра посмотрю.
|
|
Captain monitor.net.ru  Сообщения: 10774
|
| ZORRO писал: | | Возможно ли заменить на какие нибудт мощные мосфеты от иксов и игреков от плазм? |
нету там таких транзюков. Но есть в блоках питания от старых плазм, особенно в самсунгах (оно же в сони), филипс. Либо в PFC либо на Vs стояли точь в таком корпусе. Токи большие держали и напруга от 600 до 900 вольт. Диоды надо навешивать внешние (если они вооще в схеме нужны). Больше заморочек с заменой не должно быть. Я давно айджибити меняю на мосфеты, опыт положительный. Там где айджибити выгорают в дупель, мосфетам до лампочки. Причину такого поведения айджибити так и не понял.
|
|
dramaturg Гость 46.203.*.*
|
| ZORRO писал: | | G4PC30UD, оба в коротком. |
есть парочка причем могу задарить бесплатно (пересылка за твой счет) ищи способ переправить из хохляндии
|
|
andros Железный Оленевод
Сообщения: 11602
|
ZORRO, Зорик , не заморачивайся , ставь любые подходящие мосфеты , по току и напруге . Прокатывают на ура . Проверено на паре десятков подобных ИБП .
|
|
ZORRO Забанен Сообщения: 3328
|
блин - нету... есть Х от самца но он рабочий, разбирать жаба душит. Есть еще один но там они дохлые. А в игреках от лыж нету. Придётся в Перми искать... 
|
|
EvgeniS Участник
Сообщения: 2953
|
ZORRO,если есть слаботочные - можно параллелить для получения большего тока.
|
|
VLADMASTV Новичок
Сообщения: 25
|
От иксов и игреков плазм не пойдут. Твой IRG4PC30UD на 600вольт 23 ампера. А на плазмах они 300-вольтовые.
Полевики пойдут от 20N60 и выше- есть такие в бп больших тээфтэ. Но замена не равноценная-греться будут больше. Хотя работать будут.
|
|
andros Железный Оленевод
Сообщения: 11602
|
| VLADMASTV писал: | | -греться будут больше |
 Удивительно , но нет . Я приловчился на питальниках маршрутизаторов Циско менять , работают заразы , в отличном режиме .
|
|
VLADMASTV Новичок
Сообщения: 25
|
Теория однако. На больших напряжениях у полевиков значительное Rdc on . IGBT и были придуманы специально чтобы заменить полевики на напряжениях более 200-300 вольт, те совместить преимущества биполярных транзисторов- малое напряжение насыщения и полевых транзисторов- быстродействие ,независимость от тока базы и тд.
Как известно потери в транзисторе (нагрев) складываются из статических (потери в открытом состоянии) и динамических (потери на переключение). Динамические потери оценить достаточно сложно - без интегралов не обойтись- приблизительно у полевиков и IGBT они одного порядка. А вот статические потери посчитать не сложно. У IGBT параметр Uce on надо умножить на ток. В полевиках же параметр Rdc on надо умножить на квадрат тока.
Посчитайте и увидите - на больших токах потери полевика в разы больше потерь IGBT
http://gete.ru/post_1182281100.html
|
|
ZORRO Забанен Сообщения: 3328
|
вот есть K12J60U пара, от прекондиционера плазмы ЛЖ 42 инча. Замена?
|
|
ZORRO Забанен Сообщения: 3328
|
|
ZORRO Забанен Сообщения: 3328
|
подошли!
|
|
