ЕЩЕ один Вопрос знатокам-теоретикам

28-05-2008 10:57

Есть схема см рис 1, задача этой схемы состоит в том, чтобы при подаче управляющего напряжения в цепь базы транзистора 7004, обеспечить в точке F014 напряжение 1.8 вольт.

Спрашивается-Зачем нужен второй каскад собранный на транзисторе 7001, если эту же задачу (обеспечить в точке F014 напряжение 1.8 вольт) легко решает схема показанная на рис 2 ?

28-05-2008 11:13

AALEGYR, эти схемы не обеспечивают на выходе 1.8в сами по себе,а только благодаря подаче в точку I096 стабильного уровня DECDIG 2.5в.Схема рис 1 предпочтительнее по стабильности выходного напряжения ввиду высокого коэф.усиления Шиклаи.

28-05-2008 11:21

victorian, ну как же не обеспечивает если ее привели из реальной схемы реального аппарата?

28-05-2008 11:37

AALEGYR,
Не совсем понятно о чем это?
С транзистором 7001 по крайней мере, обеспечивает ток в нагрузку, скорость заряда C2012, термокомпенсацию, и (мне так кажется) работает как ограничитель предельного тока.
Откуда это где посмотреть?

28-05-2008 11:46

Rottor писал:

Откуда это где посмотреть?

ЖК Филипок, шасси LC4.1 E_AB. см http://monitor.net.ru/forum/viewtopic.php?t=222088

Добавлено 28-05-2008 13:30

Rottor писал:

AALEGYR,
Не совсем понятно о чем это?
С транзистором 7001 по крайней мере, обеспечивает ток в нагрузку, скорость заряда C2012, термокомпенсацию, и (мне так кажется) работает как ограничитель предельного тока.

Это о том, что если транзистор 7001 может обеспечить ток в нагрузку, то и транзистор 7004 тоже может обеспечить ток в нагрузку, если закоротить резистор 22 ком подключенный к его коллектору. так как этот ток будет определяться током базы и коэффициентом усиления по току этого транзистора. То есть, если ток в его базе 1 ма, то при бете равной 100, ток в нагрузке будет 100ма. Ну а если уменьшить резистор в базе и обеспечить ток базы 3 ма, то без проблем получим ток в нагрузке 300 ма, что соответствут значению тока, который обеспечивает транзистор 7001. При этом напряжение на нагрузке будет оставаться тем же самым, так как напряжение управления не меняется, а падение напряжение на открытом на переходе БЭ тоже почти не изменится.

28-05-2008 15:15

AALEGYR писал:

То есть, если ток в его базе 1 ма то при бете равной 100, ток в нагрузке будет 100ма. Ну а если уменьшить резистор в базе и обеспечить ток базы 3 ма, то без проблем получим ток в нагрузке 300 ма, что соответствут значению тока который обеспечивает транзистор 7001.

Откуда здесь такие базовые токи?В "лучшем" случае,если коротнуть эмиттер на землю,получишь 2.5/4700=0.5мА. В реале имеем 0,15мА. Нагрузочной способности ножки Геркулеса я не знаю,поэтому в реальном аппарате базовый резистор вот такой.Но вопрос не в этом.Вопрос в динамической нагрузке,коим является ядро процессора.AALEGYR, чем задаётся динамика базового тока твоего одинокого 7004?Правильно,нестабильностью потенциала в его эмиттере,делённое на коэффициент усиления,т.е. нестабильностью 1.8в.Оно нам надо?Поэтому высокий коэффициент усиления обеспечивает бОльшую стабильность потенциала эмиттера при равных изменениях тока в базе.Падение напряжения на открытом переходе неинформативно.

28-05-2008 16:01

victorian писал:

Откуда здесь такие базовые токи?В "лучшем" случае,если коротнуть эмиттер на землю,получишь 2.5/4700=0.5мА.

Даже если коротнуть и эмиттер на землю, имея 0.5мА в базе будем иметь 50 ма на нагрузке при бете равной 100. Ну а если уменьшить 4700 ом в четыре раза то и 200 ма имеет без проблем.

victorian писал:

Но вопрос не в этом.Вопрос в динамической нагрузке,коим является ядро процессора.AALEGYR, чем задаётся динамика базового тока твоего одинокого 7004?

Эмиттерный повторитель потому и называется повторителем, что изменение напряжения на эмиттере (выходное напряжение каскада) ПОВТОРЯЕТ изменение напряжение на базе(повторяет входное напряжение каскада), То есть его коэффициент усиления каскада по напряжению равен ЕДИНИЦЕ, почти не зависит от сопротивления в цепи эмиттера, и определяется изменением напряжения подаваемого на базу транзистора, а это наряжение не изменяется.

Добавлено 28-05-2008 17:15

Кстати, чем больше транзистор имеет усиление по току, тем меньше влияние сопротивления нагрузки (ядра процессора) на выходнное напряжение. То есть как ты и писал

victorian писал:

высокий коэффициент усиления обеспечивает бОльшую стабильность потенциала эмиттера при равных изменениях тока в базе.Падение напряжения на открытом переходе неинформативно.

Ну а падение напряжение на открытом переходе почти не зависит от тока базы, как не зависит падение напряжения на открытом диоде от тока протекающего через диод. Для кремнивых транзисторов это напряжение лежит в пределах 0,6 - 0.7 вольта.

28-05-2008 17:02

AALEGYR писал:

Эмиттерный повторитель потому и называется повторителем, что изменение напряжения на эмиттере (выходное напряжение каскада) ПОВТОРЯЕТ изменение напряжение на базе(повторяет входное напряжение каскада), То есть его коэффициент усиления каскада по напряжению равен ЕДИНИЦЕ, почти не зависит от сопротивления в цепи эмиттера, и определяется изменением напряжения подаваемого на базу транзистора

всё честно улыбка

,но я о токах и коэффициенте усиления по току.

AALEGYR писал:

подаваемого на базу транзистора, а это наряжение не изменяется.

а тут не правда,поскольку потенциал базы не фиксирован.Ну нет там стабилитрона,как и нет другого источника опорного напряжения в базе-экономия токов и элементов.А он есть с другой стороны резистора 3066-в выходной ножке проца.Ещё раз,возможно,эта ножка не имеет большой нагрузочной способности,что и заменяется большим к.усиления транзисторной пары.

28-05-2008 19:27

AALEGYR писал:

- ...этот ток будет определяться током базы и коэффициентом усиления по току этого транзистора.
-...При этом напряжение на нагрузке будет оставаться тем же самым, так как напряжение управления не меняется

- Нет конечно, так как В параметр не линейный зависит от тока коллектора, температуры, рабочей частоты...
К тому же любой ЭП (транзистор) обладает конечными значениями отдаваемого тока - нагрузочной способностью.
Режим регулировки может быть выбран преднамеренно нелинейным в зависимости от участка на котором выбрано смещение на базе - например в области отсечки или насыщения.
Например в ЭП выходных каскадов УНЧ для поддержания стабильного, начального тока коллектора в нелинейной области отсечки, помимо способа стабилизации напряжением на базе предусмотрена еще и термокомпенсация входного напряжения.

По любому конкретному случаю путем компромисса, можно доказать смысл своих умозаключений или найти консенсус. улыбка

Так что прежде всего нужно обозначить смысл твоих устремлений в поданом примере.

Раньше по бедности ЭП с стабилитроном в базе использовали как стабилизатор, теперь это деревенщина и не актуально поскольку широко распостранены готовые интегральные стабилизаторы по цене дешевле набора по рассыпухе для изготовления ЭП.

К тому же нужно учесть что напряжение на выходе ЭП не равно входному напряжению и всегда будет ниже на напряжение падения на эмиттерном переходе. То есть коэффициент передачи ЭП не 1 а 0,9 в лучшем случае.
При использовании ЭП в низковольтных схемах это весьма существенно.
Это свойство используется для стабилизации тока начального смещения в выходных каскадах УНЧ.
В режиме без сигнала напряжение на базах есть, а на выходе (эмиттерах) фактически отсутствует.

28-05-2008 23:01

victorian писал:

всё честно ,но я о токах и коэффициенте усиления по току.
AALEGYR писал:
подаваемого на базу транзистора, а это наряжение не изменяется.

а тут не правда,поскольку потенциал базы не фиксирован.

victorian, ну высокочастотное изменение потенциала базы легко компенсируется емкостью 2082, а низкочастотное применением стабилитрона подключенного параллельно этой емкости.

Rottor писал:

- Нет конечно, так как В параметр не линейный зависит от тока коллектора, температуры, рабочей частоты...

Ну все это справедливо и для схемы представленной на рис 1. С той лишь разницей, что все эти возмущения будут влиять на транзистор 7004, а от него на транзистор 7001, и как следствие все это должно сказаться на нагрузке, то есть на выходном напряжении. Кроме того, нелинейность параметра В от тока коллектора в большей мере сказывается при малый токах базы, а следовательно и небольших токах коллектора, и почти не сказывается на больших токах базы. А токи базы в несколько мА уже можно считать большими.

Rottor писал:

К тому же любой ЭП (транзистор) обладает конечными значениями отдаваемого тока - нагрузочной способностью.

Так это влияет не на схемотехнику, а на выбор подходящего транзистора.

Rottor писал:

К тому же нужно учесть что напряжение на выходе ЭП не равно входному напряжению и всегда будет ниже на напряжение падения на эмиттерном переходе. То есть коэффициент передачи ЭП не 1 а 0,9 в лучшем случае.

Ну этот нюанс для схемы рис 2 легко решается изменением номинала резистора подключенного к базе транзистора 7004.

Rottor писал:

По любому конкретному случаю путем компромисса, можно доказать смысл своих умозаключений или найти консенсус.
Так что прежде всего нужно обозначить смысл твоих устремлений в поданом примере.

Так вот я и хочу узнать (без балды) чем схема представленная на рис 1 лучше схемы представленной на рис 2.
Ну а поповоду "деревенщины" возражать не стану. Только вот в данном случае (как впрочем и для большенства своих схем)Филипок не стал применять современную элементную базу, а решил реализовать свои идеи старыми схемными решениями. Поэтому меня и заинтересовал вопрос почему он именно так сделал, если это можно было сделать проще, даже не применяя готовые интегральные стабилизаторы.

28-05-2008 23:51

AALEGYR писал:

Зачем нужен второй каскад собранный на транзисторе 7001, если эту же задачу (обеспечить в точке F014 напряжение 1.8 вольт) легко решает схема показанная на рис 2 ?

Для рис 1 - ограничение максимального тока в нагрузку (по напряжениям на схеме – рабочий ток 200ма). Меньшая зависимость от разброса параметров h21э транзисторов. Про остальные отличия ответил victorian.
Для рис 2 – перегрузка по току при включении (заряд конденсатора). 7004 должен иметь высокий h21э (для точного расчёта недостаточно данных на схеме о сигнале включения)
Скорость заряда C2012 будет выше.
Вариант с недостаточным коэф. h21 для рабочего тока 7004 (200ма) не рассматриваю.
В обоих схемах термокомпенсации нет.

29-05-2008 00:22

Postmen писал:

Для рис 1 - ограничение максимального тока в нагрузку (по напряжениям на схеме – рабочий ток 200ма). Меньшая зависимость от разброса параметров h21э транзисторов. Про остальные отличия ответил victorian

Не понял!

Postmen писал:

Для рис 2 – перегрузка по току при включении (заряд конденсатора). 7004 должен иметь высокий h21э (для точного расчёта недостаточно данных на схеме о сигнале включения)

Для рис 1 перегрузка по току при включении ничем не меньше. так как ток базы 7004 скачет при включени в обоих случаях, а его изменение прямопропорционально увеличивает и ток коллектора 7001 транзистора. Однако в обоих схемах в базе транзистора 7004 стоит емкость 2082, а она как раз и не возволяет резко изменяться току базы этого транзистора, То есть эта емкость устраняет перегрузку по току при включении, и при указанных номиналах емкостей 2012 и 2082 заряд емкости 2012 будет происходить синхронно с изменением напряжения на базе транзистора 7004.
Ну а в крайнем случае, в схему рис 2 можно в цепь коллектора включить низкоомный резистор.

29-05-2008 08:12

Postmen писал:

В обоих схемах термокомпенсации нет.

На основании изложенного прошу отменить необоснованный приговор и наветы на классическую электронику. голливудская улыбка

- По первой схеме:
При росте тока коллектора (от температуры) при стабильном напряжении на базе увеличивается падение напряжения на нагрузке ( в эмиттере). ЭТО способствует закрытию транзистора что приводит к снижению ток коллектора а значит происходит компенсация.
Это классика.
- По второй схеме так же очевидный способ температурной компенсации - предлагаю немного подумать самому.

29-05-2008 19:12

AALEGYR писал:

Ну а падение напряжение на открытом переходе почти не зависит от тока базы, как не зависит падение напряжения на открытом диоде от тока протекающего через диод. Для кремнивых транзисторов это напряжение лежит в пределах 0,6 - 0.7 вольта.

AALEGYR писал:

нелинейность параметра В от тока коллектора в большей мере сказывается при малый токах базы, а следовательно и небольших токах коллектора, и почти не сказывается на больших токах базы.

Брехня...
AALEGYR, слушай, может быть тебе стоит книжки почитать, а? Титце-Шенка, например, для начала.

29-05-2008 20:59

starko,
Наверное сможешь грамотно объяснить указанные "заблуждения", или просто намалевал сообщение потому что сам себе нравишся?
Если нарвался - то покажи информацию у Титце-Шенка на основании прочтения которой можно сделать выводы о состоятельности твоего мнения.

Судя по всему тебе самому стоит прочитать книжку?

29-05-2008 23:04

AALEGYR писал:

эта емкость устраняет перегрузку по току при включении

Без ограничения тока коллектора не устраняет, а растягивает её на время заряда 2082.
Например, чему равен ток коллектора 7004 на рис.2 если C2012 замкнут? Неизвестные величины лучше символами (импеданс источника питания, сигнала включения, коэф. передачи тока.. и т.д.).

Rottor Классика на месте. голливудская улыбка

Компенсация «При росте тока коллектора (от температуры)» для обеих схем идентична, это очевидно.

Rottor писал:

С транзистором 7001 по крайней мере, обеспечивает ток в нагрузку, скорость заряда C2012, термокомпенсацию, и (мне так кажется) работает как ограничитель предельного тока.

О какой термокомпенсации тогда тут?

Однако предлагаю подумать об изменении Uбэ (от температуры) и передачи этой составляющей на напряжение нагрузки. В схеме с транзистором 7001 имеем уже 2Uбэ. улыбка

30-05-2008 00:35

starko писал:

Брехня...
AALEGYR, слушай, может быть тебе стоит книжки почитать, а?

Ну ты не оригинален. Тут уже был один преподаватель-заочник. http://monitor.net.ru/forum/viewtopic.php?t=222572#1565159
Он тоже книжечку порекомендовал http://monitor.net.ru/forum/download.php?id=75141
Вот я ей и воспользуюсь, чтобы просветить тебя по поводу падение напряжение на открытом переходе Б-Э, и его независимости от тока базы

Цитата:

Отметим, что в практических расчетах прямое напряжение Uэп часто считают не зависящим от тока эмиттера (при изменении тока эмиттера в 10 раз напряжение на эмиттерном переходе изменяется на 60 мВ) и принимают Uэп= U*, где U* - пороговое напряжение перехода. Для кремниевых транзисторов U*= 0,6-0,8 В.

Где Uэп - напряжение эмиттерного перехода транзистора. То есть напряжение между БАЗОЙ и ЭМИТТЕРОМ (Б-Э).
Надеюсь, starko, тебе как знатоку, не составит большого труда связать ток эмиттера с током базы, и самостоятельно определить зависимость напряжения между БАЗОЙ и ЭМИТТЕРОМ от тока базы, теперь уже зная что напряжение на эмиттерном переходе независит от тока эмиттера.

Ну а про зависимость коэффициента усиления по току от тока коллектора ты можешь посмотреть на картинке. Картинка взята из учебного пособия ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И УСТРОЙСТВА АНАЛОГОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ.
Если у тебя найдется время, то ты можешь ознакомится с оригиналом.
http://books.ifmo.ru/book/pdf/286.pdf#search="%D0%B7%D0%B0%D0%B2% ... %D0%BA%D0%BE%D1%8D%D1%84%D1%84%D0%B8%D1%86%D0%B8%D0%B5%D0%BD%D1%82%D0%B0 %D1%83%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F %D0%BF%D0%BE %D1%82%D0%BE%D0%BA%D1%83 %D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B0 %D0%BE%D1%82 %D1%82%D0%BE%D0%BA%D0%B0 %D0%BA%D0%BE%D0%BB%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B0"

Добавлено 30-05-2008 01:54

Postmen писал:

Например, чему равен ток коллектора 7004 на рис.2 если C2012 замкнут? Неизвестные величины лучше символами (импеданс источника питания, сигнала включения, коэф. передачи тока.. и т.д.).

НУЛЮ! Так как напрядение на базе 7004 в этот момент тоже равно НУЛЮ. Вот если бы не было емкости в его базе 2082, тогда бы и была возможна перегрузка из-за скачка управляющего напряжения, а так как емкость в базе есть, то ток в нагрузке будет нарастать по экспоненте, а не скачком.

30-05-2008 01:04

Вот информация по нагрузкам. Если в общих чертах, то:
2 транзистора, потому что выход слабый (1 мА) +нуждается в защите (R в базе). Т.е. 280 мА нагрузки одиночным транзисторам с резистором в базе (2,5кОм-предпочтительный минимум) не потянуть.
R в эмиттере - ограничитель тока на случай аварии.

h2.GIF 42,9 КБ Скачано: 39 раз(а)

30-05-2008 05:38

AALEGYR, букв много, некогда вникать, но у тебя на нижнем графике завал при большом токе, приблизительно на это я и намекал.
И по напряжению на PN-переходе, учитывая реальный диапазон токов от (грубо) 1мкА до 1А, уж никак не в пределах 0.6-0.8В.
Прошу заметить, высказывание автора претендовало на универсальность. Написал бы, что в этой схеме при токе 1мА (или сколько там) напряжение будет около 0.6 (или 0.7), я бы не стал возражать.

30-05-2008 09:08

starko писал:

...букв много, некогда вникать,

Значит пиздобол!
Титце с Шенком отдыхают - читать нужно с букваря. гы-гы

30-05-2008 10:48

starko писал:

AALEGYR, букв много, некогда вникать, но у тебя на нижнем графике завал при большом токе, приблизительно на это я и намекал.

Жалко что у тебя извилин не так много, иначе ты бы сначала думал. а потом уже писал. Глядишь, и оправдываться не пришлось

31-05-2008 04:49

Да ладно вам, времени на тот момент действительно не было. А оправдываться... в чем?

31-05-2008 10:28

starko писал:

Да ладно вам, времени на тот момент действительно не было. А оправдываться... в чем?

Нахрен ты нужен со своими оправданиями.
Нет времени - значит не делай "одолжений" своим "активным участием".
И в темах под ногами не путайся со своим спамом.

31-05-2008 23:50

AALEGYR писал:

НУЛЮ! Так как напрядение на базе 7004 в этот момент тоже равно НУЛЮ.

Слабо поднатужиться и мысленно отодрать базу от НУЛЯ до момента открывания транзистора? Если да, то будем считать это решение

AALEGYR писал:

Ну а в крайнем случае, в схему рис 2 можно в цепь коллектора включить низкоомный резистор.

победой интуиции.

01-06-2008 00:22

Postmen писал:

Слабо поднатужиться и мысленно отодрать базу от НУЛЯ до момента открывания транзистора?

Я не понимаю, зачем нужно тужиться и мысленно отдирать базу от НУЛЯ, если в реальности этого никогда не будет.

01-06-2008 23:11

insasch писал:

Если в общих чертах, то:
2 транзистора, потому что выход слабый (1 мА) +нуждается в защите (R в базе). Т.е. 280 мА нагрузки одиночным транзисторам с резистором в базе (2,5кОм-предпочтительный минимум) не потянуть.

Попытаюсь пояснить слово " не потянуть" улыбка

. Для 2,7кОм (ряд Е24) и Ur=0,2В (ориентировочно), Iб=200/2700=0,074мА, минимальный коэф. передачи тока = 280/0,074= 3784. При этом почти на пределе выход сигнала и уже на пределе напряжение нагрузки.

insasch писал:

R в эмиттере - ограничитель тока на случай аварии.

и ограничивает пИковое значение тока при включении = ток заряда ёмкости + ток на нагрузку. голливудская улыбка

02-06-2008 00:17

Postmen писал:

Попытаюсь пояснить слово " не потянуть" . Для 2,7кОм (ряд Е24) и Ur=0,2В (ориентировочно), Iб=200/2700=0,074мА, минимальный коэф. передачи тока = 280/0,074= 3784. При этом почти на пределе выход сигнала и уже на пределе напряжение нагрузки.

Я ничего не понял!!!
Что такое "Iб=200/2700=0,074мА", и какой такой транзистор имеет "минимальный коэф. передачи тока = 280/0,074= 3784."?

02-06-2008 13:53

200-это 0,2В-нестабильность выходного напряжения "средненького" стабилизатора(т.е. 10% от 1,8В)
2700-2,7кОм-сопротивление в базе транзистора(уменьшать не желательно, чтобы не перегрузить выход 2,5В-1мА при к/з)
3784-необходимый коэф. передачи транзистора, который будет ОДИН вместо ДВУХ.

Цитата:

Спрашивается-Зачем нужен второй каскад собранный на транзисторе 7001, если эту же задачу (обеспечить в точке F014 напряжение 1.8 вольт) легко решает схема показанная на рис 2 ?

Цитата:

и какой такой транзистор имеет "минимальный коэф. передачи тока = 280/0,074= 3784."?

Вот во втором вопросе и содержится ответ на первый.

02-06-2008 23:39

insasch, если мы имеем "минимальный коэф. передачи тока равный 3784.", то при входном токе равным даже 0,2 мА
имеем ток в нагругрузке 0.76 А!!! То есть, чтобы на нагрузке было 1.8 В нужно иметь сопротивление нагрузки 2.3 Ома!!!
Получается что процессор, который питается от данного источника имеет сопротивление сравнимое с сопротивлением
раскаленной нити накала. Ерунда какая-то получается!

03-06-2008 02:20

Потому и применены в схеме 2 транзистора, а не 1-чтобы ерунда не получалась! улыбка

При входном токе 0,2 мА на нагрузке 1.8В никак не получится, т.к. на резисторе 2,7к просядет 0,54В, еще 0,6В на переходе транзистора.
2,5-0.54-0.6=1.36(В)
Я не понимаю в чем загвоздка?
Есть мощный источник 3.3В и источник опорного напряжения 2,5В с предельным током нагрузки 1мА. Чтобы он(ток) ни при каких обстоятельствах не превышался, ставится ограничительный резистор не менее 2,5кОм. Это исходные данные.
Конечная цель-получить от опорного источника пониженное стабильное напряжение (от 1,7В до 1.9В при токе нагрузки до 280 мА) с учетом исходных данных.
С одним транзистором(эмит. повторитель) - не получится.

03-06-2008 21:48

insasch писал:

Я не понимаю в чем загвоздка?

Не туда попали.. тема-то для знатоков-теоретиков мы практики со знанием теории.. блин транзистор с h21э под 10 тыщ. подмигивание

03-06-2008 23:42

insasch писал:

Я не понимаю в чем загвоздка?

Загвоздка была в том, что объявляя тему, мне из исходных данных были известны только напряжение нагрузки 1.8В и ток через нее З00 мА,
и ничего неизвестно про источник опорного напряжения 2,5В с предельным током нагрузки 1мА.
При таких условиях исходная схема, представленная на рис 1 легко заменяется схемой представленной на рис 2.
При этом выходные параметры обоих схем будут идентичны. так как в схеме представленной на рис 1 ее нагрузочная способность
обеспечивается только ОДНИМ транзистором (7001), а второй транзистор (7004) обеспечивает только напряжение на нагрузке,
так как его доля в токе нагрузки в сто раз меньше тока транзистора 7001.
То есть, имея транзистор позволяющий обеспечить в нагрузке ток в 300 мА можно спокойно использовать схему простого эмиттерного повторителя,
при условии, что ток в его базе будет иметь соответствующее значение, примерно равное току эмиттера 7004.

А вот когда в исходных данных появляется ограничение в виде слаботочного источника опорного напряжения, то становится ясным, что между ним
и нагрузкой нужно ставить буферок, повышаюший входное сопротивление схемы.

Так что вопрос решен.
Спасибо, insasch.