| Автор | Сообщение |
|---|
psn Новичок
Сообщения: 5
|
При поступлении на ремонт Sharp 70DS-03S (шасси ca10) не запускался. Причиной оказался пробой выходного транзистора в строчнике Q602 BUH515. После проверки БП (результат-ОК), транзистор заменён на новый. Телик запустился, растр и изображение в норме но может работать не более одной минуты, так как сильно греется заменённый BUH515 (другой экземпляр подставлял). Далее сделано следующее: проверен импульс запуска - норма, проверен Q601, поменял все литики в строчке, подставлял D603, D604, C608, C610, C611, C613, D613, D605. Со вторички ТДКС напряжения +16В и -16В также в норме. Затем, согласно рекомендаций из предидущих тем форума, тупо пропаял всю строчку. Все эти действия ни к чему не привели. Может у кого-то есть что подсказать? Буду очень благодарен.
|
|
Nikolae monitor.net.ru  Сообщения: 2341
|
| psn писал: | | подставлял.......... D605.. |
Каким менял?
|
|
ZSN Участник
Сообщения: 88
|
Сейчас BUH515 много фуфла,причем сразу не вылетают, работают от 1 до 10 дней.
|
|
KRAB monitor.net.ru Сообщения: 9199
|
- в Архиве слету 48 !!!!! тем про ЭТО - все прочел? НОТ проверен (с разборки, например) или просто | psn писал: | | другой экземпляр подставлял |
?
|
|
psn Новичок
Сообщения: 5
|
| Nikolae писал: | | Каким менял? |
Менял таким же 1N4933. Слава богу буржуйского БУ-шного барахла хватает, есть в чём ковыряться 
|
|
rubicon Участник
Сообщения: 42
|
| psn писал: | | может работать не более одной минуты |
Вместо BUH515 если нет с другой партии подкинь, транзистор даже меньшей мощности и можешь удивиться насколько он дольше греется а всё что выпаял, поставь назад.
|
|
psn Новичок
Сообщения: 5
|
| KRAB писал: | | НОТ проверен (с разборки, например) или просто |
Ошибку в этом плане я старался свести к минимуму, а именно: подставлено два новых BUH515 и ради експеремента BU2508AF, последний греется быстрее (считаю закономерным). Попробую найти проверенный НОТ и подставить. Ещё потрясу архив - может где чего пропустил.
|
|
KRAB monitor.net.ru Сообщения: 9199
|
| psn писал: | | и ради експеремента BU2508AF |
-
|
|
ajktu Предупреждений: 1  Сообщения: 79
|
тмс и его цепи проверь
|
|
Sergej Участник
Сообщения: 433
|
BU 2525 неплохо в этом месте
|
|
ZSN Участник
Сообщения: 88
|
| ajktu писал: | | тмс и его цепи проверь |
- схему смотрел?
BU2508. BU2520.BU2525 будут грется еще сильнее - проверенно.Этот BUH какой-то незаменимый, потому наверное на порядок дороже.
|
|
Sergej Участник
Сообщения: 433
|
| ZSN писал: | | ajktu писал: | | тмс и его цепи проверь |
- А ГДЕ ТМС? Этот BUH какой-то незаменимый, потому наверное на порядок дороже. |
Это так, "только от Sharp" советовали, но в нормальном случае  в это место несколько раз ставил, проскакивало. Небольшая подушка (я вижу, клиент - редко) при этом не убиралась, для пробы сойдет...[/b]
|
|
Удав Участник
Сообщения: 394
|
Можно попробовать если есть BUH1015HI или S2000AFI.По параметрам рядом с 515.
|
|
psn Новичок
Сообщения: 5
|
Нашёл с разборки BUH515, подставил - картина та же. Продолжаю трах-ся  С благодарностью жду новых мыслей 
|
|
rubicon Участник
Сообщения: 42
|
Без отклонялки тоже греется?
|
|
Tolik_ Участник
Сообщения: 538
|
| rubicon писал: | | Без отклонялки тоже греется? |
Ты сам-то пробовал делать то, что советуешь....
99% всех случаев быстрого разогрева BUH515 являются только "липовые" транзисторы. Но если уверен в его качестве, то причиной его разогрева может быть только управление. С607 замена, проверить R608,R609 D602. Запирает Q602 (BUH515) во время ОХ. Практически всегда С607 менять обязательно, поскольку при потере им параметров увеличивается разогрев HOTa из-за недостаточного уровня запирания во время ОХ.
|
|
rubicon Участник
Сообщения: 42
|
Родной тоже липовый был что сдох.| Цитата: | | 99% всех случаев быстрого разогрева BUH515 являются только "липовые" транзисторы. Но если уверен в его качестве, то причиной его разогрева может быть только управление. С607 замена, проверить R608,R609 D602. Запирает Q602 (BUH515) во время ОХ. Практически всегда С607 менять обязательно, поскольку при потере им параметров увеличивается разогрев HOTa из-за недостаточного уровня запирания во время ОХ. |
Про это не спорю.
|
|
psn Новичок
Сообщения: 5
|
РЕБЯТА, ВСЁ ОК!!! Tolik, огромное спасибо что натолкнул на нужную мысль:| Tolik_ писал: | | Но если уверен в его качестве, то причиной его разогрева может быть только управление. |
С607 был заменён изначально, но после твоего совета я в который раз тщательно проверил элементы в цепи управления строчкой. Оказалось: в цепи базы НОТа паралельно соединённые R606 и L601 имели 22 Ом, т.е. дросселя не видать. Он действительно оборван.После замены L601 телик работает уже более получаса - температура НОТа в норме. Всем большое спасибо за помощь и участие. Тема закрыта.
|
|
Tolik_ Участник
Сообщения: 538
|
|
brt137 monitor.net.ru Сообщения: 2037
|
| rubicon писал: | | Вместо BUH515 если нет с другой партии подкинь, транзистор даже меньшей мощности и можешь удивиться насколько он дольше греется |
Дольше или меньше?..
Нагрев транзистора зависит не от его мощности, вообще-то... Более мощный - может греться даже сильнее, потому что требует большей амплитуды импульса в базе для раскачки. Более важны скоростные качества транзистора.
| ajktu писал: | | тмс и его цепи проверь |
Если схему аппарата никто не модернизировал при предыдущих ремонтах, то ТМС там не найдёшь . | ZSN писал: | | Этот BUH какой-то незаменимый, потому наверное на порядок дороже. |
Встречал на форумах (в архиве вроде есть) - писалось, что можно ставить хоть BU508, но подогнать параметры обмотки раскачки (домотать витки на ТДКС).
|
|
rubicon Участник
Сообщения: 42
|
Имел в виду дольше одной минуты, если BUH515 был бы брак.
|
|
SERGE monitor.net.ru Сообщения: 1634
|
| brt137 писал: | | Более важны скоростные качества транзистора. |
Как раз наоборот. Про скорость транзистора уже обсосано сколько Мб ?
Самое точное утверждение
| brt137 писал: | | Более мощный - может греться даже сильнее, потому что требует большей амплитуды импульса в базе для раскачки. |
Т.е. меньший коэфициент передачи
А скорость НОТ это тема для флейма  ( в энциклопедии уже есть)
Или для того кто не видел BU508 в 100Гц телеках
|
|
KRAB monitor.net.ru Сообщения: 9199
|
| brt137 писал: | | можно ставить хоть BU508, но подогнать параметры обмотки раскачки (домотать витки на ТДКС). |
- Костя, ТМС.... скорректируй.
| SERGE писал: | | Т.е. меньший коэфициент передачи |
- тут важно обеспечить требуемый ток насыщения и при этом не превысить степень (глубину) насыщения - для оптимальной работы транзистора в ключевом режиме.
|
|
Vlad-1966 Предупреждений: 1 Сообщения: 3519
|
| brt137 писал: | | что можно ставить хоть BU508, но подогнать параметры обмотки раскачки |
Что мешает ставить доступный и недорогой BU4508 один в один, без переделок?
|
|
sergeih Участник
Сообщения: 1225
|
| KRAB писал: | brt137 писал:
можно ставить хоть BU508, но подогнать параметры обмотки раскачки (домотать витки на ТДКС).
- Костя, ТМС.... скорректируй. |
KRAB, там нет ТМС, хотя вместо 515-го можно наверное Дарлингтон поставить, или схему на тмс собрать
|
|
SERGE monitor.net.ru Сообщения: 1634
|
| KRAB писал: | | при этом не превысить степень (глубину) насыщения |
А чем это черевато? 
|
|
KRAB monitor.net.ru Сообщения: 9199
|
| brt137 писал: | | но подогнать параметры обмотки раскачки (домотать витки на ТДКС). |
- тогда это выше моего понимания! Зачем менять ИНДУКТИВНОСТЬ (и "Ктр" ТДКС) первичной обмотки ТДКС домоткой витков ???
|
|
SERGE monitor.net.ru Сообщения: 1634
|
| sergeih писал: | | вместо 515-го можно наверное Дарлингтон поставить |
Наверное не надо Обычный с успехом идёт. НОТ просто вышел из насыщения| psn писал: | | в цепи базы НОТа паралельно соединённые R606 и L601 имели 22 Ом, т.е. дросселя не видать |
| brt137 писал: | | что можно ставить хоть BU508, но подогнать параметры обмотки раскачки (домотать витки на ТДКС). |
Это я писал когда-то. Таким макаром удалось установить температуру НОТ 45*С в шасси CS
| KRAB писал: | | важно обеспечить требуемый ток насыщения |
Это уже обсасывалось когда-то на МОНИТОРе. Но куда-то подевалось
|
|
KRAB monitor.net.ru Сообщения: 9199
|
| SERGE писал: | | А чем это черевато? |
-
цитирую "источник знаний" именно про ЭТО
Открытый транзистор может находиться в активном режиме или режиме насыщения. Для электронных ключей активный режим является невыгодным, так как в этом режиме на коллекторе рассеивается значительная мощность. Поэтому активный режим допустим только в течение переходных процессов (где он, собственно говоря, неизбежен).
Отметим, что при нарушении условия насыщения транзистор переходит в активный режим, что сопровождается ростом напряжения на коллекторе и увеличением мощности рассеяния.
Необходимой частью проектирования электронных ключей является оценка их динамических свойств, определяющих скорость переключения и потери энергии на этом этапе (динамические потери).
Переходные процессы в электронном ключе на биполярном транзисторе характеризуются длительностью цикла переключения, который можно разделить на несколько отдельных этапов:
задержка включения;
включение (нарастание тока до величины, соответствующей насыщению);
задержка выключения (обусловлена рассасыванием заряда в базе при переходе из режима насыщения в активный режим);
выключение (обусловлено уменьшением тока коллектора до значения, соответствующего отсечке).
Необходимо также учитывать процессы заряда емкостей монтажа и нагрузки, которые не имеют прямого отношения к транзистору, но могут существенно влиять на длительность переходного процесса в целом.
Переходные процессы в ключе на биполярном транзисторе
Транзистор заперт, ток базы определяется обратным током коллектора, заряд в базе практически отсутствует, на выходе ключа высокий уровень.
Потенциал на входе ключа скачком увеличивается, начинается заряд входной емкости. Токи базы и коллектора не изменяются, пока напряжение на переходе база-эмиттер не превышает напряжения отсечки (время задержки включения).
В момент превышения напряжения отсечки открывается эмиттерный переход, и транзистор переходит в активный режим. Инжектируемые в базу неосновные носители нарушают равновесное состояние базы, и начинается накопление заряда. Пропорционально увеличивается ток коллектора, обусловленный экстракцией носителей в область коллектора. Время до перехода в режим насыщения - время включения.
В режиме насыщения все токи и напряжения остаются постоянными, при этом заряд в базе продолжает нарастать, хотя и с меньшей скоростью. Заряд, превышающий величину, соответствующую переходу в режим насыщения, называется избыточным.
При скачкообразном изменении потенциала на входе ключа ток базы также быстро уменьшается, нарушается равновесное состояние заряда базы и начинается его рассасывание. Транзистор остается насыщенным до тех пор, пока заряд не уменьшится до граничной величины, после чего переходит в активный режим (время задержки выключения).
В активном режиме заряд базы и ток коллектора уменьшаются до тех пор, пока транзистор не перейдет в режим отсечки. В этот момент входное сопротивление ключа возрастает. Этот этап определяет время выключения.
После перехода транзистора в режим отсечки напряжение на выходе продолжает нарастать, так как заряжаются емкости нагрузки, монтажа и емкость коллектора.
Очевидно, ключевую роль играет степень (глубина) насыщения транзистора.
Если степень насыщения велика - то увеличивается (ЗНАЧИТЕЛЬНО) время рассасывания неосновных носителей в базе. И отсюда - перегрев. Есть методы, для повышения быстродействия. Привести из оригинала?
|
|
SERGE monitor.net.ru Сообщения: 1634
|
| KRAB писал: | | это выше моего понимания |
Строчка по схеме блокинг-генератора. Ток базы обеспечивает обмотка ТДКС обратной связи ( как аналог вторички ТМС)
|
|
KRAB monitor.net.ru Сообщения: 9199
|
| SERGE писал: | | Но куда-то подевалось |
- все в энциклопедии, Алекс объединял темы .... http://monitor.net.ru/forum/viewtopic.php?t=15507
| SERGE писал: | | Это я писал когда-то. Таким макаром удалось установить температуру НОТ 45*С в шасси CS |
- Сережа, ТЫ мне, как автор, скажи - ТДКС или ТМС???
|
|
Vitaly Великий Нехочуха
Сообщения: 3337
|
|
Реклама Показывается для незарегистрированных пользователей |
|
